ROHM P-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / 40 A 75 W, 8-Pin DFN3333T8LSAB

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

-30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

11.3Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

65nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-10V

Gehäusegröße

DFN3333T8LSAB

Höhe

1.1mm

Kabelkanaltyp

P-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

40A

Länge

3.4mm