ROHM Oberfläche Transistor PnP 50 V / 150 mA, VMT 3-Pin

Technische Daten

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

120

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

6V

Gehäusegröße

VMT

Höhe

0.55mm

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

60V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

50V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

150mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Übergangsfrequenz (Ft)

140MHz

Maximale Verlustleistung (Pd)

150mW