ROHM Oberfläche Transistor PnP -50 V / -150 mA, UMT 6-Pin
Technische Daten
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 6V
- Gehäusegröße
- UMT
- Höhe
- 0.5mm
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 60V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- -50V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- -150mA
- Länge
- 1.6mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 140MHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 150mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Polarität des Transistors
- PnP
- Produkt Typ
- Transistor
- Transistor-Konfiguration
- Isoliert
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = -150mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = -50V
Gehäusegröße = UMT
Montageart = SMD
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 60V
Maximale Verlustleistung Pd = 150mW
Pinanzahl = 6°C
Länge = 1.6mm
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059043477787
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