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ROHM Oberfläche Transistor PnP -50 V / 150 mA, EMT3 3-Pin

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: 2SA1774E3HZGTLQ

Produkt-Nr.: P-DRGHYZ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
120
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
-6V
Gehäusegröße
EMT3
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
-50V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
-50V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
150mA
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
140MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
150mW

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 150mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = -50V
Gehäusegröße = EMT3
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Gemeinsamer Emittent
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = -50V
Maximale Verlustleistung Pd = 150mW
Pinanzahl = 3°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = AEC-Q101

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren

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