ROHM Oberfläche Transistor PnP -30 V / 500 mA, EMT3 3-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

200

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

-6V

Gehäusegröße

EMT3

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

-30V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

-30V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

500mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Übergangsfrequenz (Ft)

520MHz

Maximale Verlustleistung (Pd)

150mW