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ROHM Oberfläche Transistor PnP -12 V / 500 mA, EMT3 3-Pin

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: 2SA2018E3HZGTL

Produkt-Nr.: P-DRGHY2

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
270
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
-6V
Gehäusegröße
EMT3
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
-15V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
-12V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
500mA
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
260MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
150mW

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 500mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = -12V
Gehäusegröße = EMT3
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = -15V
Maximale Verlustleistung Pd = 150mW
Pinanzahl = 3°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = AEC-Q101

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren

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