ROHM Oberfläche Transistor NPN + PNP 50 V / 150 mA, SOT-25 5-Pin
Technische Daten
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 120
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 7V
- Gehäusegröße
- SOT-25
- Höhe
- 3mm
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 60V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 50V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 150mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 100MHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 300mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 5
- Polarität des Transistors
- NPN + PNP
- Produkt Typ
- Transistor
- Transistor-Konfiguration
- Gemeinsamer Emittent
Produktbeschreibung
Geräte mit zwei Transistoren sind in ultrakompakten Gehäusen erhältlich und eignen sich für verschiedene Anwendungen, wie z. B. Differenzverstärkerschaltungen für Vorverstärker, Hochfrequenzoszillatoren, Treiber-ICs usw.Ultra-kompakter komplexer Bipolar-Transistor Allgemeine Anwendungen Kleines SMD-Gehäuse Bleifrei
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059045187011
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