ROHM Oberfläche Transistor NPN 80 V / 700 mA, SOT-89 3-Pin
Technische Daten
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 120
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 6V
- Gehäusegröße
- SOT-89
- Höhe
- 1.6mm
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 80V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 80V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 700mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 320MHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 500mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Polarität des Transistors
- NPN
- Produkt Typ
- Transistor
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
Der Rohm Leistungstransistor mit niedriger VCE(sat), geeignet für Niederfrequenzverstärker.Niedrige Sättigungsspannung VCE(sat)300 mV (max.) (IC/IB300mA/15mA) Hochgeschwindigkeitsschalten AEC-Q101-qualifiziert
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
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