ROHM Oberfläche Transistor NPN 80 V / 700 mA, SOT-89 3-Pin

Technische Daten

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

120

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

6V

Gehäusegröße

SOT-89

Höhe

1.6mm

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

80V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

80V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

700mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Übergangsfrequenz (Ft)

320MHz

Maximale Verlustleistung (Pd)

500mW