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ROHM Oberfläche Transistor NPN 80 V / 5 A, TO-263AB 3-Pin

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: 2SCR586JGTLL

Produkt-Nr.: P-DRBMRX

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
120
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
6V
Gehäusegröße
TO-263AB
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
80V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
80V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
5A
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
200MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
40W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 5A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 80V
Gehäusegröße = TO-263AB
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 80V
Maximale Verlustleistung Pd = 40W
Pinanzahl = 3°C
Höhe = 4.7mm
Automobilstandard = AEC-Q101

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren