ROHM Oberfläche Transistor NPN 80 V / 1.5 A, SOT-89 4-Pin

Technische Daten

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

120

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

6V

Gehäusegröße

SOT-89

Höhe

1.5mm

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

80V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

80V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

1.5A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Übergangsfrequenz (Ft)

100MHz

Maximale Verlustleistung (Pd)

500mW