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ROHM Oberfläche Transistor NPN 80 V / 1.5 A, SOT-89 3-Pin

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: 2SCR554PHZGT100

Produkt-Nr.: P-DRJR66

Technische Daten

DC-Stromverstärkung min. (hFE)
120
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
6V
Gehäusegröße
SOT-89
Höhe
1.6mm
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
80V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
80V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
1.5A
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
320MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
500mW

Produktbeschreibung

Der Rohm Leistungstransistor mit niedriger VCE(sat), geeignet für Niederfrequenzverstärker.Niedrige Sättigungsspannung VCE(sat)300 mV (max.) (IC/IB500mA/25mA) Hochgeschwindigkeitsschalten AEC-Q101-qualifiziert

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren

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