ROHM Oberfläche Transistor NPN 60 V / 2 A, TSMT 3-Pin

Technische Daten

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

120

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

6V

Gehäusegröße

TSMT

Höhe

1mm

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

60V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

60V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

2A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Übergangsfrequenz (Ft)

200MHz

Maximale Verlustleistung (Pd)

500mW