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ROHM Oberfläche Transistor NPN 30 V / 10 A, TO-252 3-Pin

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: 2SCR582D3TL1

Produkt-Nr.: P-DRBMRV

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
200
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
6V
Gehäusegröße
TO-252
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
30V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
30V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
10A
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
250MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
10W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 10A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 30V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 30V
DC-Stromverstärkung min. hFE = 200V
Pinanzahl = 3°C
Höhe = 2.4mm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren