ROHM Oberfläche Transistor NPN 120 V / 3 A, TO-252 3-Pin

Technische Daten

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

120

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

6V

Gehäusegröße

TO-252

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

120V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

120V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

3A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Übergangsfrequenz (Ft)

250MHz

Maximale Verlustleistung (Pd)

10W

Montageart

Oberfläche