ROHM Oberfläche Digitaler Transistor NPN 50 V 100 mA ESM 3-Pin
Technische Daten
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 82
- Gehäusegröße
- ESM
- Höhe
- 0.55mm
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 50V
- Länge
- 1.3mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 150mW
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 100mA
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- RoHS
- Pinanzahl
- 3
- Polarität des Transistors
- NPN
- Produkt Typ
- Digitaler Transistor
- Serie
- DTC115E
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
Bipolare Transistoren
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059043229614
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