ROHM Nch+Nch HP8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 21 W, 8-Pin HSOP-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 15.7mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 10.6nC
- Gehäusegröße
- HSOP-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 21W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HP8
- Transistor-Konfiguration
- Nch+Nch
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET