ROHM N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 280 A 192 W, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.85mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

210nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

10V

Gehäusegröße

TO-263AB-3LSHYAD

Höhe

4.77mm

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

280A

Länge

10.36mm