ROHM N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 12 A 40 W, 8-Pin HSMT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

28mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

8.5nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

10V

Gehäusegröße

HSMT

Höhe

0.9mm

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

12A

Länge

3.3mm