ROHM N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 27 A 69 W, 8-Pin HSMT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

38mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

13.6nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

10V

Gehäusegröße

HSMT

Höhe

0.9mm

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

27A

Länge

3.3mm