ROHM HT8MC5 Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 13 W, 8-Pin HSMT-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 97mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 3.1nC
- Gehäusegröße
- HSMT-8
- Höhe
- 0.8mm
- Kabelkanaltyp
- Typ P, Typ N
- Länge
- 3.45mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 13W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- HT8MC5
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = HSMT-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 97mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 3.1nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3.45mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET