ROHM HT8KF6H Zweifach N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 14 W, 8-Pin HSMT-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 150V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 214mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 6.4nC
- Gehäusegröße
- HSMT-8
- Höhe
- 0.8mm
- Kabelkanaltyp
- Zweifach N
- Länge
- 3.45mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 14W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- HT8KF6H
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
Drain-Source-Spannung Vds max. = 150V
Gehäusegröße = HSMT-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 214mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 6.4nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3.45mm
Automobilstandard = Nein
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET