ROHM HT8KE6 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET-Arrays 100 V Erweiterung / 12.5 A 14 W, 8-Pin HSMT-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

60mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6.3nC

Gehäusegröße

HSMT-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

12.5A

Maximale Betriebstemperatur

150°C