ROHM HT8KE5H Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 6.5 A 13 W, 8-Pin HSOP-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

210mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

3.7nC

Gehäusegröße

HSOP-8

Kabelkanaltyp

Zweifach N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

6.5A

Maximale Betriebstemperatur

150°C