ROHM HT8KB6 Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Entleerung / 15 A 14 W, 8-Pin HSMT-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Entleerung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

17.2mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

10.6nC

Gehäusegröße

HSMT-8

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

15A

Maximale Betriebstemperatur

150°C