ROHM HT8K Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 7 A 13 W, 8-Pin HSMT-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

193mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

2.9nC

Gehäusegröße

HSMT-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

7A

Maximale Betriebstemperatur

150°C