ROHM HT8K Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 13 A 14 W, 8-Pin HSMT-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

57mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6.7nC

Gehäusegröße

HSMT-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

13A

Maximale Betriebstemperatur

150°C