Zum Hauptinhalt springen

ROHM HP8 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 20 W, 8-Pin HSOP-8

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: HP8MC5TB1

Produkt-Nr.: P-DRF8RK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
96mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
17.3nC
Gehäusegröße
HSOP-8
Kabelkanaltyp
Typ P, Typ N
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
20W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = HSOP-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 96mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 17.3nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = No
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein

Produktangebot

0,69 €

0,82 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Lieferzeit ca. 1 Tag
Zustand: Neu
Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 10Mengenintervall: 10
Maximal 50 verfügbar

Sichere Zahlung

VISA Logo
Mastercard Logo
American Express Logo
SEPA Überweisung Logo
Rechnung

Schneller Versand

DHL Express Logo
FedEx Logo
UPS Logo

etc.

Fragen zum Produkt?

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET