ROHM HP8 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 20 W, 8-Pin HSOP-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 96mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 17.3nC
- Gehäusegröße
- HSOP-8
- Kabelkanaltyp
- Typ P, Typ N
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 20W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HP8
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = HSOP-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 96mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 17.3nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = No
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET