ROHM HP8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 21 W, 8-Pin HSOP-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

27mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

7.6nC

Gehäusegröße

HSOP-8

Kabelkanaltyp

Typ N

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

21W