ROHM HP8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 12 A 13 W, 8-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 47mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 12A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 13W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HP8
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET