ROHM Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung, 3-Pin TSMT-3

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

1.6mm

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.5Ω

Gate-Source-spannung max (Vgs)

12, -12V

Gehäusegröße

TSMT-3

Höhe

0.85mm

Kabelkanaltyp

Typ P

Länge

2.9mm