ROHM Dual (Nch+Pch) HP8 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 2 W, 8-Pin HSOP-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

46mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gehäusegröße

HSOP-8

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

2W

Montageart

Oberfläche