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ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 7.5 A 2 W, 8-Pin SOP

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: SH8JC5TB1

Produkt-Nr.: P-DRGKPP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.32Ω
Durchlassspannung (Vf)
-1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
50nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
20V
Gehäusegröße
SOP
Kabelkanaltyp
Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
7.5A

Produktbeschreibung

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den DFN2020-8D-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform Halogenfrei

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET