ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 3.5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.91Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- -1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 17.3nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- TSMT
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 3.5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den TO-3PF-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.Schnelle Umkehr-Wiederherstellungszeit (trr) Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Schnelle Schaltgeschwindigkeit Einfache Antriebskreise möglich Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET