ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 2.5 A 2 W, 7-Pin DFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.8Ω

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6.3nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

DFN

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2.5A