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ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 3.5 A 2 W, 7-Pin DFN

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: UT6JB5TCR

Produkt-Nr.: P-DRGKPR

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
1.22Ω
Durchlassspannung (Vf)
-1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
6.2nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
20V
Gehäusegröße
DFN
Kabelkanaltyp
Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
3.5A

Produktbeschreibung

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den DFN2020-8D-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform Halogenfrei

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET