ROHM Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 1 A 1.25 W, 6-Pin TSMT

Name: ROHM Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 1 A 1.25 W, 6-Pin TSMT
Brand: ROHM

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: QS6K1TR

Produkt-Nr.: P-DRB4P2

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 238mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 1.7nC
Gehäusegröße: TSMT
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 1A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 1.25W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 6
Produkt Typ: Leistungs-MOSFET
Transistor-Konfiguration: Doppelt

Produktbeschreibung

Kabelkanaltyp = Typ N
Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) = 1A
Drain-Source-Spannung (Vds) max. = 30V
Gehäusegröße = TSMT
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. = 238mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung (Vf) = 1.2V
Maximale Verlustleistung (Pd) = 1.25W
Betriebstemperatur min. = -55°C
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs = 1.7nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Transistor-Konfiguration = Doppelt <br