ROHM Doppelt SP8M5 Typ N, Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 3 A 2 W, 8-Pin SOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

29mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

12.5nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

SOP

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

3A