ROHM Doppelt SP8M3 Typ N, Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 5 A 2 W, 8-Pin SOP
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 56mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 8.5nC
- Gehäusegröße
- SOP
- Kabelkanaltyp
- Typ N, Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SP8M3
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 5A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = SOP
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 56mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.75mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET