ROHM Doppelt SH8MB Typ N, Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8.5 A 2 W, 8-Pin SOP

Name: ROHM Doppelt SH8MB Typ N, Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8.5 A 2 W, 8-Pin SOP
Brand: ROHM

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: SH8MB5TB1

Produkt-Nr.: P-DRDBNR

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 19mΩ
Durchlassspannung (Vf): -1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 10.6nC
Gehäusegröße: SOP
Kabelkanaltyp: Typ N, Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 8.5A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 2W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: SH8MB

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 8.5A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = SOP
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 19mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.75mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Automobilstandard = Nein