ROHM Doppelt HP Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 80 A 31 W, 8-Pin HSOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

10nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

HSOP

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

80A