ROHM BSS84X HZG Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 200 mA 1 W, 3-Pin DFN
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- P
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 5.3Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- -1.2V
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- DFN
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 200mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- BSS84X HZG
Produktbeschreibung
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den DFN3333-9DC-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten und für den Motorantrieb verwendet.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform Halogenfrei
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET