ROHM BM2PxxB3JF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 730 V / 4 A 0.63 W, 4-Pin SOP-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 730V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 3.6Ω
- Gehäusegröße
- SOP-8
- Höhe
- 1.71mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 4A
- Länge
- 5mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 105°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 0.63W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- BM2PxxB3JF
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 730V
Gehäusegröße = SOP-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3.6Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 0.63W
Maximale Betriebstemperatur = 105°C
Länge = 5mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET