ROHM AG502EG Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V / 68 A 77 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- -40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 13.1mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 48nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 68A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 77W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- AG502EG
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 68A
Drain-Source-Spannung Vds max. = -40V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 13.1mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 48.0nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS Compliant
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET