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ROHM AG502EG Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V / 68 A 77 W, 3-Pin TO-252

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: AG502EGD3HRBTL

Produkt-Nr.: P-DRJNDK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
-40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
13.1mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
48nC
Gehäusegröße
TO-252
Kabelkanaltyp
Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
68A
Maximale Betriebstemperatur
175°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Einfache MOSFETs
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 68A
Drain-Source-Spannung Vds max. = -40V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 13.1mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 48.0nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS Compliant
Automobilstandard = AEC-Q101

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET