ROHM AG087FGD3HRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V / 40 A 53 W, 3-Pin TO-252 (TL)
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- -40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 7mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 14.9nC
- Gehäusegröße
- TO-252 (TL)
- Höhe
- 2.3mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 40A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 53W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- AG087FGD3HRB
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 40A
Drain-Source-Spannung Vds max. = -40V
Gehäusegröße = TO-252 (TL)
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 7.0mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 14.9nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 10.50mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET