Renesas Electronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 25 A 45 W, 4-Pin SOT-669

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

14mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

15nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

SOT-669

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

25A

Maximale Betriebstemperatur

150°C