Renesas Electronics Oberfläche Transistor NPN + PNP 8 V / 65 mA, SOIC 16-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Gehäusegröße
- SOIC
- Höhe
- 1.75mm
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 8V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 65mA
- Länge
- 9.9mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 125°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 150mW
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 16
- Polarität des Transistors
- NPN + PNP
- Produkt Typ
- Transistor
- Serie
- HFA3096
- Transistor-Konfiguration
- Doppelt
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 65mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 8V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Doppelt
Maximale Verlustleistung Pd = 150mW
Pinanzahl = 16°C
Höhe = 1.75mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
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