Renesas Electronics Oberfläche Transistor NPN + PNP 8 V / 65 mA, SOIC 16-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Gehäusegröße
- SOIC
- Höhe
- 1.75mm
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 8V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 65mA
- Länge
- 9.9mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 125°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 150mW
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
Produktbeschreibung
Bipolare Transistoren
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren