Renesas Electronics NP100P06PDG Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 100 A 200 W, 4-Pin MP-25ZP (TO-263)

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

P

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

5.1mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

300nC

Gehäusegröße

MP-25ZP (TO-263)

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A

Maximale Betriebstemperatur

175°C