Renesas Electronics MOSFET MOSFET 4 A 2 8-Pin SOIC 14V 190 ns
Technische Daten
- Abfallzeit
- 190ns
- Anstiegszeit
- 300ns
- Anzahl der Treiber
- 2
- Ausgangsstrom
- 4A
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Gehäusegröße
- SOIC
- Höhe
- 1.75mm
- Länge
- 5mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Versorgungsspannung
- 14V
- Minimale Versorgungsspannung
- 14V
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- ISL2111
- Treiber-Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Die ISL2111-Serie von Renesas Electronics umfasst 100-V-Hochfrequenz-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber-ICs mit Halbbrücken. Sie basieren auf dem Beliebte Halbbrückentreiber HIP2100, HIP2101, bieten jedoch mehrere Leistungsverbesserungen.Steuert N-Kanal-MOSFET-Halbbrücke SOIC-, DFN- und TDFN-Gehäuseoptionen Bootstrap-Versorgungsspannung: Max. 114 V dc
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Gate-Treiber
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